您现在的位置: 考研秘籍考研网 >> 文章中心 >> 专业课 >> 正文  2018年天津理工大学3001半导体器件物理考博大纲

友情提示:本站提供全国400多所高等院校招收硕士、博士研究生入学考试历年考研真题、考博真题、答案,部分学校更新至2012年,2013年;均提供收费下载。 下载流程: 考研真题 点击“考研试卷””下载; 考博真题 点击“考博试卷库” 下载 

天津理工大学博士研究生入学考试大纲
一、考试科目:半导体器件物理 (3001)
二、考试方式:
考试采用笔试形式,考试时间为 180 分钟,试卷满分为 100 分。
三、试卷结构与分数比重:
1.简答题
2.论述题
3.计算题
四、考查的知识范围:
七章 MIS 二极管和电荷耦合器件
八章 MDS 场效应晶体管
十二章 发光二极管和半导体激光器
十三章 光电探测器
十四章 太阳电池
其中第 12-14 章为重点部分,第 7 和 8 章为一般考试内容。
五、参考书目:
半导体器件物理 西安交通大学出版 施敏/伍国珏

免责声明:本文系转载自网络,如有侵犯,请联系我们立即删除,另:本文仅代表作者个人观点,与本网站无关。其原创性以及文中陈述文字和内容未经本站证实,对本文以及其中全部或者部分内容、文字的真实性、完整性、及时性本站不作任何保证或承诺,请读者仅作参考,并请自行核实相关内容。

  • 上一篇文章:

  • 下一篇文章: